home_반도체공정_전공정단계_전공정 단계A

전공정 단계A

최고의 품질로 수요자 여러분께 보답하겠습니다.

회로설계
CAD(Computer Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계한다.
마스크(Mask)제작
설계된 회로패턴을 유리판 위에 그리는 과정이다. 반도체 및 LCD 제조 시 매우 중요한 원재료로 사용되는 포토마스크(Photomask)는 유리기판 위에 반도체의 미세회로를 형상화한 것이다. 즉, 투명한 석영기판 상층에 도포된 크롬 박막을 이용하여 반도체 집적회로와 LCD 패턴을 실제 크기의 1~5배로 식각해 놓은 제품을 일컫는다. 설계자가 설계한 회로를 첨단 노광시스템(MEBES : Manufacturing Electronic Beam Exposure System)을 이용해 웨이퍼에 묘사시키는 사진 원판이기 때문에 감광물질이 입혀진 기판에 패턴을 묘사할 수 있게 해준다는 점에서 사진의 필름과 유사한 역할을 수행한다고 할 수 있다.
산화(Oxidation)공정
800~1200℃의 고온에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응 시켜 얇고 균일한 실리콘 산화 막(SiO2)을 형성한다. 산화 막은 웨이퍼 위에 그려질 배선끼리 합선되지 않도록 서로를 구분해 준다. 배선간의 간격이 미세하기 때문에 합선이 될 경우가 많다.
감광액 도포(Photo Resist Coating)
PR Coating이란 분사된 액상 감광액을 높은 회전수로 회전시켜 균일한 얇은 막의 형태로 기판 전체를 도포시킨 후 일정온도에서 Baking하여 단단하게 만드는 과정을 말한다. 여기서의 PR이란 특정 파장대의 빛을 받으면(노광: Photo Exposure) 반응을 하는 일종의 감광 고분자 화합물(Photosensitive Polymer)이다. 이때 반응이라 함은 PR의 일정 부분이 노광 되었을 때 노광된 부분의 Polymer 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하는 것을 의미한다. 일반적으로 노광된 부분의 Polymer 결합사슬이 끊어지는 PR을 Positive PR이라 하며 그 반대의 경우를 Negative PR이라 한다. 또한 그 형태에 있어서 액상(Liquid) PR과 Film Type으로 구분한다.
노광(Exposure)공정
노광기(Stepper)를 사용하여 마스크에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 감광막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는 과정을 말한다. 노광이란 Photo Mask를 통해 자외선 영역의 빛을 조사함으로서 Mask상에 형성된 미세회로 형상(Pattern)을 Coating된 PR에 전사하는 과정을 말한다. Mask의 Pattern은 얇은 Cr 막으로 형성되어 있으며 Cr Pattern 위에 조사된 빛은 반사되어 PR을 감광시키지 못하며 Cr이 없는 부분은 투과하여 PR을 감광시킴으로써 Coating된 PR에 미세회로 형상을 전사시킨다. PR의 종류에 따라 Mask 또한 Negative 혹은 Positive로 분류되며 Positive PR에 Positive Mask를 사용하거나 Negative PR에 Negative Mask를 사용하면 PR에는 원상(Original Image)이, 그 외의 경우에는 역상(Reverse Image)이 형성된다. 노광과정에는 Mask Aligner라고 하는 노광장비가 사용되는데, Aligner라고 부르는 이유는 미세회로 형상의 위치를 정밀하게 제어하는 것이 중요하기 때문이다
현상(Development)공정
웨이퍼 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시킨다.