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웨이퍼 준비단계

최고의 품질로 수요자 여러분께 보답하겠습니다.

단결정 성장(Crystal Growing)
고 순도로 정제된 실리콘 용융 액에 시드(Seed) 결정을 접촉하여 단결정 규소 봉을 성장시키는 과정이다. 99.9999% 이상의 순도를 갖고 있으며, 1200℃ 정도의 녹아 있는 실리콘 표면에 녹지 않은 실리콘 덩어리를 살짝 접촉시켜 녹아 있는 실리콘 입자들이 녹지 않은 실리콘에 붙도록 한다. 그러면서 일정 속도로 회전을 시켜 위로 올리는데 이를 보면 마치 무엇인가 자라나는 것 같아 성장이란 말로 표현 한다. 이때 회전 속도와 올리는 속도 그리고 주변의 여러 가지 조건을 조절하면 원하는 굵기의 실리콘 봉을 만들 수 있다. 크기에 따라 4인치, 5인치, 6인치, 8인치 그리고 최근에는 12인치가 있다. 이러한 제조 공정상의 이유로 실리콘 웨이퍼가 둥글게 만들어 지는 것이다.
규소 봉 절단(Shaping)
성장된 규소 봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라내는 과정이다. 실리콘으로 만들어진 실리콘 웨이퍼는 약 1.2 eV의 넓은 Energy Band gap을 가지고 있기 때문에 비교적 고온에서도 소자가 동작할 수 있는 장점이 있다. 이러한 실리콘 웨이퍼는 도판트(Dopant)의 종류에 따라 N-type과 P-type으로 구분되며 결정 성장 방향에 따라서 <100>, <111>로 구분된다.
연마(polishing)
웨이퍼의 한쪽 면을 연마(Polishing)하여 거울 면처럼 만들어주는 과정이다. Polishing 이란 사전적 의미로 ‘마찰에 의해서 표면은 부드럽고 광택을 나게 하는 것’을 의미하며 광원에 의한 굴절이 산란되는 결정표면을 거울 같은 반사표면으로 만들어 주는 것을 의미한다. 이전 공정에서 chemical로 etching된 wafer의 표면은 경면 연마 공정에서 평탄하고 damage가 없는 경면으로 가공된다. silicon wafer의 경면 연마는 silica 계열의 연마제를 공급하면서, wafer와 인조 피혁으로 된 polishing pad사이에 일정한 하중과 상대 속도를 조절하여 연마하게 된다. silicon wafer의 경면 연마는 알칼리 용액에 의해 wafer표면에 연질의 silica 수화막이 형성되고 그 수화막이 연마제 입자에 의해 제거되어 가공이 진행되는 것이다. Silicon wafer의 경면 연마 방법은 lapping방식과 같이 양면을 동시에 경면화 하는 양면 연마 방식과 한 장씩의 wafer를 plate에 진공 흡착하여 연마하는 낱장 방식, 또는 wax등의 접착제를 사용하지 않고 packing pad와 template로 고정하여 그대로 연마하는 waxless연마 방식 등 여러 가지 방식이 응용되고 있으면 주류를 이루는 방식은 wax를 접착시키어 한쪽 면을 연마하는 wax mounting 방식이 silicon wafer뿐 아니라 glass, ceramic의 연마에도 적용되고 있으나, 현재 glass나 ceramic 등의 plate에 여러 장의 wafer를 wax로 접착시켜 한쪽 면만을 연마하는 wax mount batch식 편면 가공 방식이 주류를 이루고 있다.